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融融石英や紫外線透過光学素子を製造するための最も適した材料はα-石英粉末です。これは、教科書的にほぼ完璧な結晶構造、優れた耐熱性、および極めて低い不純物含有量によるものです。この物質は1600度を超える高温でも固体のままであり、加熱してもほとんど膨張しない融融石英の作成を可能にします。さらに、通常、金属系不純物の含有量は全体で50ppm(百万分の1)未満です。特に鉄の混入は問題であり、わずか5ppm程度でも紫外線を吸収し、光学材料学会の最近の研究によると、透過効率が10〜15%程度低下します。α-石英の原子が規則正しく配列されているため、高温処理中でもガラス状になったり曇ったりすることがなく、光学素子は均一で透明なまま維持されます。一方、非晶質シリカは熱的ストレスを受けると内部に微小な結晶が形成されやすく、不要な光の散乱を引き起こす傾向があります。
特殊ガラス製造における安定した溶融挙動は、結晶性二酸化ケイ素粉末の物理的および化学的特性を厳密に管理することに依存しています。最適な仕様には以下が含まれます。
ロット間で粒子サイズが15%以上異なる場合、不均一な加熱パターンが生じ、最終製品に目立つストライエーション(条線状の模様)や閉じ込められたガスが発生します。アルミニウム含有量が100万個あたり20個を超えると、溶融物が12%粘度が上がり、加工性に影響を与えます。カルシウム不純物はさらに悪く、クリストバライト結晶の生成を促進するため、材料の構造強度を低下させるため誰も望まない現象です。多くの真剣な製造業者は、これらの仕様を確認するためにレーザー回折試験とICP-MS装置を利用しています。このような品質管理は、半導体製造や高価な光学部品に用いられる精密部品の製造において、わずかな変動でも後工程で重大な問題を引き起こす可能性があるため、一貫した結果を維持するために不可欠です。
半導体製造における熱酸化プロセスで使用される主な材料は、結晶性二酸化ケイ素粉末です。酸素が豊富な環境下で900度を超える高温にさらされると、この粉末はシリコンウエハー上に非常に均一なSiO2誘電体層へと変化します。このプロセスを正しく機能させるためには、粉末の粒子サイズが一貫しており、微量金属含有量が極めて低い(ppm以下)必要があります。ごくわずかな不純物であっても、ゲート酸化膜に電気的問題を引き起こし、トランジスタの長期的な信頼性に影響を与える可能性があります。最新の製造ラインでは、ガス状態をリアルタイムで監視するシステムを用いて、適切な酸化条件を維持しています。これらのシステムにより、大口径の300mmウエハー上で膜厚の均一性を±2%以内に収めることができます。このような精密な制御こそが、現代のロジックチップやメモリーモジュールの高性能化を実現し、製造業者が良好な歩留まりを得られるようにしているのです。
化学的機械研磨(CMP)は、結晶性二酸化ケイ素の微細粒子から作られたスラリーを使用して、原子レベルで非常に平坦な表面を形成します。これは、3D NANDメモリチップや、よく耳にする5ナノメートル以下のFinFET構造といった、高度な半導体デバイスの製造において特に重要です。この材料は、十分な硬度を持ち研磨に適している一方で、丸みを帯びた形状をしているため、研磨中の繊細な層を損傷しにくいという利点があります。一方、同じ高純度のシリカ粉末は、別の重要な用途にも使用されています。これを溶融すると、半導体製造におけるフォトマスクの基材となり、193ナノメートルの紫外線をほぼ完全に透過させながら、繰り返しの加熱・冷却サイクル後もその形状を維持することができます。このような光学的透明性と安定性の組み合わせにより、極端紫外線(EUV)リソグラフィ工程において、各露光サイクルで微細構造が歪むリスクを抑えつつ、極めて高い精度でパターンを維持することが可能になります。
結晶性シリカと非晶質シリカの選択は、特定の用途においてどの特性が最も重要であるかによって決まります。特にα石英のような結晶性シリカ粉末は、高温環境下で構造の予測性がはるかに高くなるため、熱酸化プロセスや特殊ガラス製造といった分野で極めて重要です。均一な層と安定した相を持つことが、デバイスの性能に大きく影響するからです。規則的な格子構造を持つため、融解挙動の一貫性や液体状態からの再ガラス化に対する耐性が予測可能になります。一方、非晶質シリカは熱衝撃に対して優れた耐性を示しますが、同じような予測可能な相変化や不純物の厳密な制御はできません。金属不純物が百万分の5未満、または粒子径が10マイクロン未満という厳しい仕様が要求される場合、反応中に生じる欠陥が少ないため、結晶性シリカの方が一般的により適しています。最終的には、材料を選ぶうえで重要なのは、精密な処理の正確さがどれほど重要か、あるいは材料がどれだけのストレスに耐えなければならないかという点のバランスを検討することです。
結晶性シリカ粉末は肺の健康に重大なリスクをもたらすため、規制当局はその監視を非常に厳格に行っています。職業安全衛生局(OSHA)は、結晶性シリカを含む呼吸可能な粒子に対して、立方メートルあたり50マイクログラムという許容限界値を設定しており、工場では堅固な安全対策が求められます。多くの工場ではまず工学的対策から始めます。作業者から粉塵を排出する強力な排気システムや、加工中に材料を湿らせて飛散粒子を最小限に抑える方法などが挙げられます。粉塵が急速に蓄積する半導体製造工場では、リアルタイムで粒子数を監視する連続モニタリング装置を利用しています。これらのシステムは、25マイクログラム/立方メートルという警告レベルに近づくと警報を発します。また、一部の施設では空気の流れを分析し、運用の変化に応じて保護策を調整しています。これにより、継続的な生産中断を防ぎながら、珪肺症の発生を低減することができます。
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